Samsung: Cip 3nm pertama di dunia
Pada Persidangan Litar Solid-State Antarabangsa IEEE ISSCC baru-baru ini, cip 3nm! Samsung telah zum masuk, dan Samsung telah berjaya menyalakan pertempuran cip di seluruh dunia. Pada persidangan itu, Samsung melancarkan cip memori SRAM pertama yang dihasilkan oleh proses 3nm, menolak proses semikonduktor ke peringkat baru lagi. Cip memori SRAM proses 3nm dari Samsung mempunyai kapasiti 256GB dan kawasan hanya 56 milimeter persegi. Prestasi bertambah baik sebanyak 30% dan penggunaan kuasa dikurangkan sebanyak 50%. Ia dijangka akan dihasilkan secara rasmi secara besar-besaran pada tahun 2022. Samsung menggunakan teknologi transistor baru pada cip proses 3nm, dan menggunakan teknologi GAA untuk menyelesaikan satu siri masalah seperti penjanaan haba dan penggunaan kuasa yang berlebihan yang sebelum ini dihadapi dalam proses 5nm. Teknologi GAAFET lebih padat dalam susunan dan boleh menampung lebih banyak transistor, jadi kawasan cip yang sepadan akan dikurangkan lagi, ditambah dengan kawalan yang lebih tepat terhadap arus rentas saluran, ia dijangka mencapai kepimpinan teknologi.
Ditubuhkan pada tahun 2003, Baiqiancheng terlibat dalam eksport papan PCBA, memberi tumpuan kepada perkhidmatan ODM, merancang bersama dengan pelanggan, membantu pelanggan memilih model, dan menukar susun atur. Kelebihan teras kami adalah bahawa kami mempunyai pasukan perolehan profesional, dan kami mempunyai komponen berkualiti tinggi. Saluran perolehan cip dapat membantu pelanggan mencari bahan dengan harga yang tinggi dan berkualiti tinggi, menjimatkan kos untuk pelanggan dan memendekkan masa penghantaran.
